Pusvadītāju ierīcēs izmanto abu tipu pusvadītājus, veidojot \(p-n\) pārejas. Par \(p-n\) pāreju sauc robežslāni starp pusvadītājiem, kas veidojas, sakausējot \(p\) tipa un \(n\) tipa pusvadītājus.
Abas daļas ir elektriski neitrālas. Tomēr labajā pusē brīvo elektronu koncentrācija ir lielāka par caurumu koncentrāciju. Savukārt kreisajā pusē caurumu koncentrācija ir lielāka par brīvo elektronu koncentrāciju. Abās daļās gan elektroni, gan caurumi atrodas nepārtrauktā siltumkustībā.
Līdzko \(p-n\) pāreja ir izveidota, gan elektroni, gan caurumi var šķērsot robežslāni starp abiem pusvadītājiem. Sākas lādiņnesēju difūzija.
Difūzijas procesā notiek caurumu un elektronu rekombinācija. Rezultātā robežslānī labajā pusē izveidojas nekompensēts pozitīvais lādiņš, bet kreisajā pusē — negatīvais lādiņš. Tāpēc starp \(p\) un \(n\) apgabaliem rodas potenciālu starpība un pastāv elektriskais lauks.
Radušais elektriskais spēks pārtrauc tālāko lādiņnesēju pārvietošanos pāri robežai. Izveidojas tā sauktais elektriskais sprostslānis, un lādiņnesēju difūzija izbeidzas.
Ja strāvas avota pozitīvo polu pieslēdz pusvadītāja \(p\) apgabalam, bet negatīvo polu pieslēdz pusvadītāja \(n\) apgabalam, tad strāvas avota ārējais elektriskais lauks pavājina sprostslāņa lauku, un pusvadītājā plūst liela difūzijas strāva, kuru veido vairākuma lādiņnesēji.
Ja strāvas avota pozitīvo polu pieslēdz pusvadītāja \(n\) apgabalam, bet negatīvo polu pieslēdz pusvadītāja \(p\) apgabalam, tad strāvas avota ārējais elektriskais lauks pastiprina sprostslāņa lauku, un pusvadītājā var pārvietoties tikai mazākuma lādiņnesēji.
Tāpēc radīta strāva ir ļoti niecīga.
Secinājums: \(p-n\) pārejai piemīt vienvirziena vadītspēja.